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三星开发出30纳米NAND闪存芯片 09年投入量产

时间:2020-01-07 07:26:55 出处:10分彩平台-10分彩网投平台_10分彩投注平台





作者: CNET科技资讯网

CNETNews.com.cn

507-10-24 10:05:47

关键词: 闪存 闪存芯片 三星

CNET科技资讯网10月24日国际报道 本周二,三星表示很久开发了有一种更先进的闪存芯片。该芯片将不不可以提高MP3播放机等数码产品的存储容量。

三星否认了采用50纳米工艺的64G位NAND闪存芯片。三星在一份声明中说,你这类闪存芯片是提高闪存芯片存储密谋计划中的一大进步。

三星称这款芯片是这类芯片中的第一款,也标志着闪存芯片的存储密度很久是连续8年翻番,NAND闪存芯片的生产工艺很久连续7年得到改进。

三星表示,计划在509年批量生产你这类芯片。

去年,三星否认了采用40纳米工艺的32G位NAND闪存芯片。三星一名女发言人说,三星计划于明年批量生产该芯片。目前,三星大多数的闪存芯片使用0.05微米工艺。

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